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Yorktown Heights, NY, Zürich, Schweiz, 27. Januar
2007—IBM (NYSE: IBM) hat heute bekannt gegeben, eine langersehnte
Verbesserung für den Transistor entwickelt zu haben. Der Transistor
ist der winzige Ein/Aus-Schalter, der als Basisbaustein praktisch
aller heutigen Mikrochips fungiert.
In Zusammenarbeit mit AMD und Entwicklungspartnern Sony und Toshiba
gelang es dem Unternehmen, einen wichtigen Bestandteil des Transistors
mit einem neuen Material herzustellen. Dies eröffnet den Weg
zur Entwicklung von neuen Computerschaltkreisen, die kleiner, schneller
und energieeffizienter sein können als bisher für möglich
gehalten wurde. Ebenso wichtig ist, dass die Technologie in vorhandene
Chipherstellungslinien integriert werden kann, wobei nur minimale
Änderungen bei den gegenwärtigen Produktionsanlagen- und
–prozessen nötig sind. Damit wird auch ein ökonomisch
gangbarer Weg eingeschlagen.
Dieser Durchbruch hat voraussichtlich weit reichende Folgen, die
zu Verbesserungen bei elektronischen Systemen aller Art führen
können, bei Computern wie auch bei Verbraucherelektronik. IBM
hat die neue Technologie in ihre aktuelle Halbleiterfertigungsstätte
in East Fishkill, NY, USA, eingeführt und wird sie bei der
Herstellung von Chips der 45-Nanometer-Generation ab 2008 einsetzen.
"Bis jetzt gab es für die Chipindustrie ein großes
Hindernis hinsichtlich der Frage, wie weit sich jetzige Technologie
weiter einsetzen lässt", sagt Dr. T.C. Chen, Vice President
Science and Technology, IBM Research. "Nach mehr als zehn Jahren
Forschungsaufwand haben wir jetzt einen Weg vorwärts gefunden.
Dieser Durchbruch wird Anwendern in vielerlei Hinsicht nützen
angesichts der Tatsache, wie umfassend Chiptechnologie heute in
unser alltägliches Leben hineinreicht."
Die Technologie, genannt "high-k dielectrics plus metal gate",
bringt ein neues Material in einen wichtigen Bestandteil des Transistors
ein, der die primäre Ein/Aus-Schalterfunktion steuert. Das
Material bietet überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich
zu seinem Vorgänger und verbessert die Transistorleistung.
Gleichzeitig können die Dimensionen des Transistors weiter
verkleinert werden.
Der Einsatz des neuen Materials kann es der Chipindustrie ermöglichen,
weiter auf dem als "Mooresches Gesetz" bekannten Weg voranzuschreiten
– dem Axiom der Chip-Industrie, das eine Verdopplung der Anzahl
der Transistoren auf einem Chip alle 12 bis 18 Monate und damit
eine entsprechende Erhöhung der Chipleistung und -funktionen
voraussagt. Die Halbleiterindustrie war bisher in der Lage, dieses
Tempo im Entwicklungsfortschritt über Jahrzehnte hinweg beizubehalten.
Mittlerweile werden aber die Grenzen gegenwärtiger Technologie
erreicht, weshalb bereits eine Verzögerung bei zukünftigen
technischen Fortschritten drohte.
Genauso wichtig wie das neue Material selbst ist die Methode, wie
es in gegenwärtigen Herstellungstechnologien eingeführt
werden kann. Die Schaffung der neuen Transistorkomponente mit dem
neuen Material wurde vom IBM Team ohne grössere Veränderungen
bei Produktionsanlagen und -prozessen erreicht – ein wesentliches
Element, damit die neue Technologie betriebswirtschaftlich einsetzbar
wird.
Basisarbeiten, die zu diesem Entwicklungsdurchbruch geführt
haben, wurden von IBM in wissenschaftlichen Magazinen veröffentlicht
und auf Chip-Technologiekonferenzen präsentiert. IBM plant,
die Zusammenfassung der Ergebnisse demnächst an einer Fachkonferenz
zu veröffentlichen.
Ausführliche Informationen entnehmen Sie bitte der englischsprachigen
Medienmitteilung.
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